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COMPACT BENCHTOP X-RAY DIFFRACTION SYSTEM

桌面式 X 射线衍射仪 KXD-D

紧凑桌面型 · 内置水冷 · 即开即用,面向 QC 质检、教学与现场检测

727 × 790 × 820 mm约 210 kg2θ −3° ~ 154°步长 0.001°内置水冷220 V 单相供电
桌面式 X 射线衍射仪 KXD-D
桌面式 X 射线衍射仪 KXD-D 1.1产品简介 1.2核心特点 1.3应用领域 立式 X 射线衍射仪 KXD-SE200 2.1产品简介 2.2核心特点 2.3应用领域 高分辨 X 射线衍射仪 KXD-HR100 3.1产品简介 3.2核心特点 3.3应用领域 3.4应用实例 · 整机实测结果
桌面式 X 射线衍射仪 KXD-D
1.1

产品简介

KXD-D 桌面式 X 射线衍射仪将落地式系统的高性能与台式机的紧凑、易用相结合。整机仅 727 × 790 × 820 mm、约 210 kg,普通实验台即可放置,无需专用地基;采用 θ/θ 测角仪与二维光子计数探测器,2θ 范围 −3° ~ 154°、最小步长 0.001°、线性度 ≤ ±0.01°,数分钟即可完成常规样品的高质量采集。内置水冷无需外接冷却设备,开机即用;配中 / 英文操作软件与一键式标准方法库,新手也能快速获得可靠结果;可选配高温台、毛细管透射台与自动进样器。

1.2

核心特点

1

桌面级体积

整机 727 × 790 × 820 mm、约 210 kg,普通实验台即可放置,无需专用地基,节省空间与基建成本。

2

内置水冷 · 即开即用

一体化内置水冷,无需外接冷却设备,开机即可测试;模块化设计,日常维护简便,降低运维成本。

3

快速精准

θ/θ 测角仪,2θ 范围 −3° ~ 154°,最小步长 0.001°,线性度 ≤ ±0.01°;配二维光子计数探测器,数分钟出结果。

4

智能易用

中 / 英文操作软件与一键式标准方法库,含 AI 物相识别与数据库检索,新手也能快速获得可靠结果。

1.3

应用领域

制药 QC
原料药晶型快检
地质与矿物
物相快速鉴定
水泥与陶瓷
熟料 / 晶相分析
金属热处理
相变与残余应力
高校教学实验
一键出报告
现场检测
移动 / 产线旁分析
立式 X 射线衍射仪 KXD-SE200
2.1

产品简介

KXD-SE200 立式 X 射线衍射仪基于布拉格衍射原理,用于块体、薄膜、粉末、纤维等样品的物相鉴定、定量分析、晶粒尺寸与微观应力测定及结构精修。整机采用立式二圆测角仪 + 双光学编码器(测量半径 ≥ 300 mm、最小步长 0.0001°、重现性优于 0.001°),配 3 kW 高压电源 + 2.2 kW 金属陶瓷 Cu 光管与 14 × 14 mm 二维光子计数探测器,兼顾日常通量与弱峰灵敏度;支持 θ/2θ、ω、ω/2θ、GIXRD 等扫描方式,并可选配原位台扩展至变温、气氛 / 真空、电化学与力学测试。

2.2

核心特点

1

高精度测角仪

立式二圆测角仪 + 双光学编码器;半径 ≥ 300 mm 且测角圆直径可连续改变,最小步长 0.0001°,重现性优于 0.001°。

2

高稳定光源

3 kW 高压电源(稳定度优于 ±0.005%)+ 2.2 kW 金属陶瓷 Cu 光管,长细焦斑 0.4 × 12 mm,标准管可互换。

3

全能光路

Bragg-Brentano 聚焦几何 + 全套狭缝组与 Kβ 滤波片(Kα : Kβ > 500 : 1),细长狭缝获取准平行束做 GIXRD。

4

二维光子计数探测器

14 × 14 mm 有效面积(覆盖 ≥ 4.5° 2θ),55 μm 像素、24 bit 动态范围,3 × 10⁶ cps/pixel,无暗电流、无读出噪声。

2.3

应用领域

制药与药物晶型
药典晶型检测金标准
地质 · 矿物 · 陶瓷
物相定性与定量
金属与冶金
相变 · 残余奥氏体
高校教学与科研
材料 / 化学 / 物理
企业中心实验室
日常 QC 与研发
原位扩展
变温 / 气氛 / 电化学
高分辨 X 射线衍射仪 KXD-HR100
3.1

产品简介

KXD-HR100 是面向前沿科研与高端制造的高分辨 X 射线衍射仪,采用立式 θ-θ 测角仪 + 双光学编码器(半径 ≥ 400 mm、角度重复精度 0.0005°),配合 Goebel 多层膜平行束镜与 Ge220 双晶 / 四晶单色器提供 Kα₁ 单一波长平行光束;77.1 × 38.4 mm 大面阵单光子计数探测器兼顾高计数率与弱信号。整机支持面内 / 面外衍射自动切换、GIXRD 掠入射、XRR 反射率与倒空间图谱测量,并可扩展微区衍射模组、五轴尤拉台(兼容 6 吋晶圆)与原位高低温台等附件。

3.2

核心特点

1

超高精度测角仪

立式 θ-θ 测角仪 + 双光学编码器;半径 ≥ 400 mm 可按需调整,最小步长 0.0001°,重复精度 0.0005°,刚玉标样峰位偏差 ≤ ±0.007°。

2

面内 / 面外自动切换

旋转探测面内臂,面外 2θ 0° ~ 168°、面内 0° ~ 144°;支持 θ/θ、ω/2θ、ω、2θ 及 GIXRD 面外 / 面内扫描,无需手动改光路。

3

平行束 + 单色器

Goebel 多层膜镜(反射率 ≥ 70%,出射发散度 ≤ 0.03°)配 Ge220 双晶 / 四晶单色器,提供 Kα₁ 单一波长平行光束,适合薄膜与高分辨测试。

4

大面阵光子计数探测器

77.1 × 38.4 mm(2961 mm²)直接转换单光子计数,75 μm 像素;总计数率 1.98 × 10¹² cps,可直采直通光无需衰减片。

3.3

应用领域

半导体与微电子
外延膜 / 应力 / 取向
新能源与电池
原位相变与掺杂
前沿材料
二维材料 / MOFs / 钙钛矿
薄膜与多层膜
XRR 厚度 / 密度 / 粗糙度
织构与残余应力
极图 / 倒空间图谱
微区衍射
0.1 ~ 1 mm 准直器
3.4

应用实例 · 整机实测结果

1全谱采集Full-range Scan

NIST 刚玉标样全谱

样品:NIST 刚玉标准样品(Al₂O₃,SRM 1976c);条件:Cu Kα,2θ 20° ~ 135° 扫描(插图为主峰细节放大)。

高角度弱衍射信号清晰,全谱峰位线性度 ≤ ±0.005°。

2半高宽 FWHMPeak Resolution

多晶硅(111) 半高宽

样品:多晶硅(111);条件:B/B 几何光路,光管 40 kV / 40 mA,索拉狭缝 3°,入射狭缝 0.6°,连续模式 step = 0.02°。

实测 FWHM = 0.0486°(单晶硅(111)为 0.0353°),优于国际同档机型文献值 0.0531°。

3XRR 薄膜分析X-ray Reflectivity

不同厚度 SiN 薄膜 XRR 对比

样品:Si 衬底上 Si₃N₄ 外延膜(50 / 100 / 150 nm);条件:XRR 模式,2θ 0.1° ~ 4.2°,对数纵轴。

反射率信号横跨 7 个数量级,可检测薄膜最大厚度 ≥ 150 nm。

4峰位线性度Peak Position Accuracy

刚玉标样峰位偏差

样品:NIST 刚玉标准样品(Al₂O₃,SRM 1976c);条件:全谱各衍射峰 2θ 与晶体学理论值逐点比对。

全谱范围内峰位偏差 ≤ ±0.005°,优于国际同档机型的 ±0.007° ~ ±0.01°。

5 重复性验证 · NIST 刚玉标样(Al₂O₃)

刚玉标样重复性测试

条件:同一 NIST 刚玉标样连续重复采集 3 次(No.1 / No.2 / No.3),依次给出全谱 20° ~ 135°、34.9° ~ 35.5°、76.5° ~ 77.7°、100.5° ~ 101.7° 四个角度区间的谱线叠加。

结果:各次扫描谱线高度重合,系统展现出良好的重复性。

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01KXD-D主要技术参数

指标名称典型值指标名称典型值
外形尺寸 / 重量727 × 790 × 820 mm;约 210 kg测角仪型式垂直型 θ/θ、ω/2θ
可读最小步长0.001°2θ 扫描范围−3° ~ 154°
2θ 角度线性度≤ ±0.01°X 射线源最大 1.2 kW;Cu 靶(标配),Co / Cr / Mo 靶(选配)
光管规格金属陶瓷管,长细焦斑 0.4 × 12 mm探测器光子计数二维面阵,有效面积 14 × 14 mm
像素尺寸55 μm × 55 μm,256 × 256动态范围24 bit(高计数率下线性响应)
分析功能物相定性 / 定量、晶粒尺寸、残余应力、织构、薄膜 GID / XRR样品台标准多功能平台;可选高温台、毛细管透射台、自动进样器
软件系统智能控制软件 + 分析套件(AI 物相识别、数据库检索)电源需求220 V ±10%,50 Hz,最大功率 < 2.5 kW
冷却系统内置水冷,无需外接水冷机辐射防护符合国标,安全联锁机构

注:X 射线源最大输出功率 1.2 kW;如需更高角分辨率或薄膜 / 织构测试,可咨询 KXD-SE200 / KXD-HR100。

02KXD-SE200主要技术参数

指标名称典型值指标名称典型值
测角仪型式立式二圆测角仪,双光学编码器定位最大测量半径≥ 300 mm(测角圆直径可连续改变)
可读最小步长0.0001°角度重现性优于 0.001°
2θ 扫描范围−100° ~ 168°扫描方式θ/2θ、ω、ω/2θ、GIXRD 掠入射
峰位准确度NIST 刚玉全谱峰位偏差 ≤ ±0.01°高压电源最大 3 kW / 50 kV / 50 mA(稳定度优于 ±0.005%)
X 射线光管金属陶瓷 Cu 靶 2.2 kW,长细焦斑 0.4 × 12 mm管压 / 管流最大 50 kV / 50 mA(标准管可互换)
探测器类型光子计数二维面阵有效面积 / 像素14 × 14 mm(覆盖 ≥ 4.5° 2θ)/ 55 μm,256 × 256
动态范围 / 帧频24 bit / 最大 55 Hz最大计数率3 × 10⁶ cps/pixel(无暗电流、无读出噪声)
光路几何Bragg-Brentano 聚焦几何光学元件Kβ 滤波片(Kα : Kβ > 500 : 1)+ 全套狭缝组
样品台Z 轴样品台(标配)· 石英样品槽冷却与防护一体式水冷 3 kW(±0.3 ℃);防护罩外 10 cm < 1 μSv/h

注:可选配 Mythen 1D 探测器、电动狭缝、电动升降样品台、零背景样品槽、原位变温台等附件;实际以合同约定配置为准。

03KXD-HR100主要技术参数

指标名称典型值指标名称典型值
测角仪型式立式 θ-θ,双光学编码器最大测量半径≥ 400 mm(可按需调整)
可读最小步长0.0001°角度重复精度0.0005°
面外 2θ 范围0° ~ 168°(探测器单臂 θ 0° ~ 120°)面内 2θ 范围0° ~ 144°(旋转探测面内臂,面内 / 面外自动切换)
扫描方式θ/θ 对称、ω/2θ 非对称、ω、2θ、GIXRD 面外及面内峰位准确度刚玉 / Si 标样 20° ~ 130° 峰位偏差 ≤ ±0.007°
平行束模组Goebel 多层膜镜 60 mm,反射率 ≥ 70%,出射发散度 ≤ 0.03°单色器Ge220 双晶 / 四晶单色器(Kα₁ 单一波长平行光)
探测器光子计数二维面阵,77.1 × 38.4 mm(2961 mm²)像素 / 计数率75 × 75 μm;单像素 3.8 × 10⁶ cps,总计数率 1.98 × 10¹² cps
高压电源最大 3 kW / 60 kV / 80 mA,连续可调X 射线光管Cu 靶 2.2 kW,长细焦斑 0.04 × 12 mm(标准管可互换)
电动狭缝标配 3 套,0 ~ 15 mm 连续调节,刀口防碰撞样品台Z 轴自动升降,覆盖 0 ~ 40 mm
选配探测器Eiger 2R 250K / 500K;Mythen 1D(640 通道,100 Hz)冷却与防护一体式水冷 3 kW(±0.5 ℃);机柜外 5 cm ≤ 0.5 μS/h

注:可选配微区衍射模组(0.1 / 0.3 / 0.5 / 1 mm 准直器 + CMOS 实时观察 + 激光高度器)、五轴 / 三轴尤拉台、薄膜样品台、原位高温台(25 ~ 1200 ℃)、原位高低温台(−196 ~ 600 ℃);第 2 页为整机实测数据。

应用案例,文献可查

每条附对应方向公开文献与 DOI,可点开核对。

01制药晶型与 API 多晶型筛查

原料药晶型鉴别、多晶型筛查与结晶度

应用原理同一化合物的不同晶型(多晶型)晶胞排列不同,衍射峰位置与强度随之不同,因此 XRD 图谱本身就是晶型的指纹。药典对多数固体原料药规定了 XRD 鉴别方法;新药开发阶段则用 XRD 跟踪不同结晶条件下的晶型转变与无定形含量。

对设备的要求① 2θ 范围覆盖 3°–60°,小角端不能丢,很多药物的特征峰在 5°–10°;② 角度准确度与重现性优于 0.01°,峰位偏移会直接导致晶型误判;③ 低背景样品台,无定形含量测定要求背景平坦;④ 样品量少(几十毫克)也能测;⑤ 软件带药典方法库与审计追踪。

本型号如何满足KXD-D:θ/θ 测角仪、2θ −3°~154°、最小步长 0.001°、线性度 ≤±0.01°,二维光子计数探测器(14×14 mm、24 bit),数分钟出谱,配 AI 物相识别与数据库检索。KXD-SE200:最小步长 0.0001°、角度重现性优于 0.001°、NIST 刚玉全谱峰位偏差 ≤±0.01°,3 kW 光源适合弱峰与微量相。

相对优势质检岗位用 KXD-D,桌面占地、内置水冷、一键方法库,新人可上手;方法开发与微量相定量用 SE200,角度重现性高出两个数量级,Rietveld 定量才站得住。

适用型号:KXD 系列;方法开发建议 SE200 / HR100

02锂电正极与电池材料

层状氧化物、尖晶石与橄榄石正极的物相与晶格参数

应用原理正极材料的电化学性能由物相与晶格参数决定:层状 LiCoO₂/NCM 的 c 轴间距影响锂离子扩散通道,尖晶石 LiMn₂O₄ 的晶格畸变对应 Mn 溶解,橄榄石 LiFePO₄ 的 Fe 位错影响容量。XRD 精修可给出相组成、晶格常数与阳离子混排度。

对设备的要求① 2θ 范围覆盖 10°–80°,层状材料的 (003) 峰在 18° 附近;② 角度精度高,晶格常数变化常在 0.1% 量级;③ 弱峰灵敏度好,杂质相(如 NiO、Li₂CO₃)含量低但危害大;④ 可做原位变温/充放电,跟踪相变;⑤ 空气敏感样品要能密封测量。

本型号如何满足KXD-SE200:3 kW 高压电源(稳定度优于 ±0.005%)、2.2 kW Cu 光管、14×14 mm 二维光子计数探测器(3×10⁶ cps/pixel、无暗电流无读出噪声),最小步长 0.0001°、重现性优于 0.001°;可选原位台扩展至变温、气氛/真空、电化学测试。KXD-HR100:半径 ≥400 mm、Goebel 平行束镜 + Ge220 单色器,适合薄膜电极与微量相。

相对优势二维探测器一次覆盖 ≥4.5° 2θ,做原位充放电时时间分辨更高;原位台与测角仪同厂匹配,变温与电化学条件下角度基准不漂。

适用型号:KXD 系列全部型号

03水泥熟料与陶瓷晶相

水泥熟料矿物组成与陶瓷晶相的定量分析

应用原理水泥熟料由 C₃S、C₂S、C₃A、C₄AF 四种主要矿物组成,水化活性各不相同;陶瓷的莫来石、刚玉、石英比例决定强度与热膨胀。XRD 全谱 Rietveld 精修可给出各相重量百分比,替代传统化学法。

对设备的要求① 2θ 覆盖 5°–70°,C₃S 的特征峰在 29°–34° 密集区;② 峰形与强度重复性好,定量误差才能控制在 1% 以内;③ 制样重复性,粉末压片的装填密度影响强度;④ 通量高,生产控制每天几十个样;⑤ 软件带无机相数据库与 Rietveld 模块。

本型号如何满足KXD-D:2θ −3°~154°、步长 0.001°、线性度 ≤±0.01°,二维光子计数探测器 24 bit 动态范围,数分钟完成常规扫描;一键式标准方法库含无机物相检索。KXD-SE200:3 kW 光源 + 14×14 mm 探测器,适合需要低含量相(<1%)检出的配方研究。

相对优势产线控制用 KXD-D,桌面机放化验室、内置水冷不占管路;配方研发用 SE200,弱峰灵敏度高,C₄AF 这类含量低的相也能定准。

适用型号:KXD 系列全部型号

04金属残余应力与残余奥氏体

热处理件的残余应力与残余奥氏体含量

应用原理残余应力使晶面间距发生弹性应变,衍射峰随之位移;通过测量不同 ψ 倾角下的峰位,用 sin²ψ 法算出应力。残余奥氏体则靠 fcc(220) 与 bcc(211) 峰的积分强度比定量,含量直接影响淬火件的尺寸稳定性与韧性。

对设备的要求① 测角仪要能做 ψ 倾转或侧倾,应力测量必须多角度采集;② 峰位精度优于 0.01°,应力误差与峰位误差成正比;③ 高强度光源,应力测量的峰往往弱而宽;④ 大样品台,能放齿轮、轴类零件;⑤ 软件内置 sin²ψ 与奥氏体定量方法。

本型号如何满足KXD-SE200:立式二圆测角仪 + 双光学编码器,半径 ≥300 mm、最小步长 0.0001°、角度重现性优于 0.001°,峰位偏差 ≤±0.01°;3 kW 光源 + 2.2 kW Cu 光管;支持 θ/2θ、ω、ω/2θ 扫描,可配应力附件与五轴台。KXD-HR100:半径 ≥400 mm、重复精度 0.0005°,适合高应力梯度的小区域。

相对优势角度重现性 0.001° 是应力测量的门槛,SE200 用双光学编码器直接读出而不是靠步进计数;大半径测角仪让同样的峰位误差对应更小的应变误差。

适用型号:KXD 系列;应力测量建议 SE200 / HR100

05矿物与地质物相鉴定

岩石、矿物与土壤的物相鉴定与定量

应用原理每种矿物有固定的晶格与衍射图谱,混合物的图谱是各组分图谱的加权叠加。用数据库检索做定性,再用 Rietveld 或参考强度比法(RIR)做定量,可给出黏土、长石、石英、碳酸盐的比例,用于成矿判断与环境溯源。

对设备的要求① 2θ 覆盖 3°–70°,黏土的层状矿物特征峰在低角端;② 低角端分辨率好,黏土峰宽且重叠;③ 样品量少也能测,单矿物分选常只有几毫克;④ 可做透射或毛细管模式,减少择优取向;⑤ 数据库覆盖矿物相。

本型号如何满足KXD-D:2θ 从 −3° 起,低角端不丢峰;二维光子计数探测器 14×14 mm、24 bit;可选毛细管透射台,减少粉末择优取向。KXD-SE200:最小步长 0.0001°、重现性优于 0.001°,低角重叠峰可分峰拟合;可选零背景样品槽。

相对优势黏土类样品用毛细管透射台,择优取向带来的强度失真小很多;桌面机放在野外基地或项目部也能跑常规鉴定。

适用型号:KXD 系列全部型号

06薄膜、外延层与界面

外延层厚度、面内晶格与多层膜界面(GIXRD / XRR)

应用原理薄膜的衍射强度极弱,常规 θ/2θ 会被衬底淹没。掠入射(GIXRD)把入射角压到临界角附近,X 射线只在表层几纳米到几十纳米内传播,从而把薄膜信号提上来;XRR 则用全反射临界角与 Kiessig 条纹测厚度与界面粗糙度。面内衍射还能测外延层与衬底的面内失配。

对设备的要求① 掠入射光路,入射角可精确到 0.01°;② 平行束,发散度小才能做低角 XRR;③ 面内衍射能力,测面内晶格与取向;④ 高强度光源补偿薄膜的弱信号;⑤ 样品台可做 φ/ψ 与五轴,测织构与取向关系。

本型号如何满足KXD-HR100:立式 θ-θ 测角仪、半径 ≥400 mm、重复精度 0.0005°、2θ 线性度 ≤±0.005°;Goebel 多层膜平行束镜(反射率 ≥70%、出射发散度 ≤0.03°)配 Ge220 双晶/四晶单色器给出 Kα₁ 单一波长;面外 2θ 0°~168°、面内 0°~144°,面内/面外自动切换无需手动改光路;探测器 77.1×38.4 mm(2961 mm²)、75 μm 像素;支持 GIXRD、XRR 与倒空间图谱;五轴尤拉台兼容 6 吋晶圆。KXD-SE200 亦可配 GIXRD 光路,适合常规薄膜物相。

相对优势面内/面外切换靠旋转探测臂自动完成,不用换光路重对齐——这是做取向关系与界面失配时最耗时的步骤;1.98×10¹² cps 的总计数率让弱的外延层峰不用长时间累加。

适用型号:KXD 系列;薄膜 / 外延建议 HR100

07催化剂与多孔材料

分子筛、载体与负载型催化剂的晶相与晶粒尺寸

应用原理催化剂的活性来自特定晶面与孔道结构:分子筛的骨架类型(MFI、FAU、BEA)由低角衍射峰确定,晶粒尺寸由 Scherrer 公式从峰宽算出,负载金属的粒径与分散度则常用 XRD 峰宽与 Rietveld 结合评估。晶相纯度直接决定选择性。

对设备的要求① 低角端 2°–10° 分辨率好,分子筛骨架峰集中在这里;② 峰宽测量准确,Scherrer 计算依赖半高宽;③ 弱峰灵敏度高,负载量低的金属相要能检出;④ 可做原位气氛/温度,跟踪积碳与相变;⑤ 微量样品适配。

本型号如何满足KXD-SE200:3 kW 光源、14×14 mm 二维光子计数探测器(3×10⁶ cps/pixel)、最小步长 0.0001°、重现性优于 0.001°;可选原位台做变温、气氛/真空测试。KXD-D:2θ 从 −3° 起,适合常规分子筛骨架确认。

相对优势原位台可在反应气氛下直接看骨架塌陷温度,不必冷却后再测;二维探测器一次覆盖 ≥4.5° 2θ,原位时间序列的每帧仍是完整谱段。

适用型号:KXD 系列全部型号

08高分子结晶度与取向

半结晶高分子的结晶度、晶型与取向度

应用原理半结晶高分子(PE、PP、PET、PA)由晶区与非晶区共存,晶区给出尖锐衍射峰、非晶区给出弥散晕。晶相峰面积占总散射的比例即结晶度;不同晶型(如 PP 的 α 与 β 相)峰位不同;取向则表现为方位角上的强度分布。

对设备的要求① 2θ 覆盖 5°–40°,高分子的主要晶峰都在这一段;② 低角与宽峰拟合能力,非晶晕要能准确扣除;③ 二维探测或织构附件,测取向需要方位角扫描;④ 峰形分析软件,结晶度与晶粒尺寸一起算;⑤ 样品可以是片材、纤维或薄膜。

本型号如何满足KXD-D:2θ −3°~154°、步长 0.001°、二维光子计数探测器(256×256、55 μm、24 bit),可做二维谱与方位角积分;分析套件含结晶度、晶粒尺寸、织构模块。KXD-SE200:角度重现性优于 0.001°,适合变温结晶动力学。

相对优势二维探测器一次拿到德拜环,方位角积分即取向度,不必加织构台;变温台配 SE200 可跟踪等温结晶过程。

适用型号:KXD 系列全部型号

KXD-D 桌面式 XRD 彩页

3 页 · 1.8 MB

  • 产品简介
  • 核心特点(4 项)
  • 应用领域(6 类)
  • 主要技术参数(12 项)

含三款机型(D / SE200 / HR100)的定位与选型说明。

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四项均为必填——单位用于判断是否已有对应型号的供货记录,电话便于资料发不出时联系您。信息只用于本次回复,不群发、不外传。急用可直接致电 185 7677 6966。

KXD-D、SE200、HR100 三档的本质区别是什么?

测角仪与几何。KXD-D 是桌面式 θ/θ,半径小、步长 0.001°、2θ −3°~154°,不能做面内衍射;SE200 是立式二圆,半径 ≥300 mm、步长 0.0001°、2θ −100°~168°,支持 GIXRD;HR100 半径 ≥400 mm,配 Goebel 平行束镜与 Ge220 单色器,面内 2θ 0°~144° 且面内 / 面外自动切换。三档都用 2.2 kW 级 Cu 靶光管,差距不在功率。

KXD-D 只有 1.2 kW,够用吗?

常规粉晶物相定性、晶型判别、结晶度与晶粒尺寸够用,出结果还快。但它的 2θ 从 −3° 起、步长 0.001°、不能做面内衍射,也做不了长时间弱峰累计——这类需求不是「功率不够」,是几何与量程不够,加钱升级电源也解决不了,要换型号。

能不能测薄膜厚度?

要 XRR 模式,不是常规 θ/2θ。HR100 配平行束镜与单色器,实测 Si 衬底上 50 / 100 / 150 nm 的 Si₃N₄ 膜,反射率信号跨 7 个数量级,可测最大厚度 ≥150 nm。D 与 SE200 的标称分析功能里也含 XRR,但实际能做到什么程度取决于光路配置,采购时需按样品单独确认。

面内衍射到底解决什么问题?

常规 θ/2θ 的衍射矢量垂直于样品表面,只能看到平行于表面的晶面。外延膜的面内取向、超晶格的横向周期、织构的方位分布都在垂直方向,常规几何原理上看不到。HR100 把探测臂转到面内(0°~144°),配准平行束,才能扫到这些晶面。

X 射线防护怎么保证?

整机符合国标并带安全联锁机构。SE200 防护罩外 10 cm 处 < 1 μSv/h,HR100 机柜外 5 cm 处 ≤ 0.5 μSv/h。安装仍需符合当地辐射安全许可要求,我们提供防护检测资料用于备案。

样品要怎么准备?

粉末研磨到 10 μm 以下并压平,块体与薄膜表面要平整、装样高度要准。装样高度偏差 0.1 mm,2θ 就能偏 0.02°~0.05°,足以让定量相分析误差翻倍。θ-θ 结构样品台水平固定,松散粉末、粘稠样品、液体(配毛细管透射台)都能直接测,不用粘在转台上。

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