01案例 01｜低温真空共聚焦拉曼
| 需求 | 样品在 4K–500K 变温、10⁻⁵ Pa 真空下测拉曼，要能切换偏振，观察结构相变过程中的模式软化。 |
|---|---|
| 难点 | 真空腔内不能有出气材料；冷台窗口与高 NA 物镜工作距离冲突；相变附近峰位移动只有几个 cm⁻¹，需要高分辨率与高重复性。 |
| 配置 | Kymera 193i（f/3.6，兼顾通量与分辨率）+ iDus 416（−100℃ TE 制冷，暗电流低）+ 长工作距离物镜（透过腔体窗口）+ GoGo Instruments 冷热台 + 半波片/检偏器。 |
| 理由 | 相变过程信号弱、积分时间长，探测器暗电流是主要噪声源，所以选深制冷 CCD 而不是 sCMOS；偏振测量需要激发与收集两侧都可控，所以加半波片而非固定偏振。 |
02案例 02｜TIR 暗场单颗粒可视化
| 需求 | 无标记条件下检出 50nm 级金属/聚合物颗粒与 80nm 级生物囊泡，在现有 Nikon Ti2-U + 100×/1.40 油镜上改造。 |
|---|---|
| 难点 | 散射截面随粒径六次方衰减，50nm 颗粒的信号比 100nm 弱 64 倍；照明必须严格全内反射，否则体散射淹没表面信号。 |
| 配置 | 高数值孔径暗场聚光镜 + 环形挡光板 + 高功率 LED/激光照明 + iXon Ultra 888 EMCCD（单光子级）+ 带通滤光片组。 |
| 理由 | 暗场靠散射成像，信号光子数极低且需要短曝光冻结布朗运动，EMCCD 的 <1 e⁻ 读出噪声是硬门槛；普通 sCMOS 在短曝光下读噪主导，小颗粒直接淹没。 |
03案例 03｜PL / FLIM 时间分辨
| 需求 | 测半导体薄膜的载流子寿命与二维材料激子发光，寿命从几十 ps 到几 µs，需要同时拿到光谱与寿命。 |
|---|---|
| 难点 | 寿命跨三个数量级，单一测量模式覆盖不了；ps 级需要门控或 TCSPC，µs 级需要长积分低噪声。 |
| 配置 | Shamrock 500i 双出口：一口接 iStar ICCD（2ns 门宽做短寿命），一口接 iDus 416（长积分做稳态与长寿命）；皮秒脉冲光源 + 延迟发生器。 |
| 理由 | 双出口避免换机，同一光路切换探测器；ICCD 的门宽决定时间分辨率下限，CCD 的暗电流决定长寿命上限，两者互补。 |
04案例 04｜XRD 外延层表征
| 需求 | InGaAsP/InP 多量子阱外延层：测厚度、组分、应变，判断是否弛豫。 |
|---|---|
| 难点 | 四元系材料组分与晶格常数耦合，单靠一个峰位解不开；外延层厚度 100nm 量级，厚度条纹周期很密。 |
| 配置 | KXD-HR100 高分辨 XRD（四晶单色器）+ 摇摆曲线 + 倒易空间映射（RSM）+ 低角反射率（XRR）测厚。 |
| 理由 | 摇摆曲线看组分与应变，RSM 区分弛豫与应变，XRR 独立测厚——三个测量互相校验，单做一个会给出错误结论。 |
05案例 05｜晶圆级 PL mapping
| 需求 | 2–4 英寸晶圆上逐点测 PL 峰位与强度，出均匀性云图，定位缺陷区。 |
|---|---|
| 难点 | 大行程样品台与光谱采集要同步，否则点与点之间对不上；InGaAsP 发光在 1.2–1.6µm，需要 InGaAs 探测器。 |
| 配置 | 电动 XY 台（行程覆盖整片）+ 自动对焦 + 532nm 激发 + Kymera 328i + iDus InGaAs（900–1700nm）+ mapping 软件。 |
| 理由 | InGaAs 线阵在 1.7µm 处仍有响应，硅 CCD 完全无响应；自动对焦保证整片离焦量一致，否则强度起伏会被误判为工艺缺陷。 |
06案例 06｜光镊与拉曼联用
| 需求 | 捕获单个微球或细胞，同时测其拉曼光谱，研究力学刺激下的生化响应。 |
|---|---|
| 难点 | 捕获光与激发光共聚焦但要分离；光阱刚度要求高 NA，而拉曼收集效率也依赖同一物镜。 |
| 配置 | ST-OT2 双光阱（1064nm 捕获）+ 785nm 拉曼激发 + 二向色镜分离 + Kymera 193i + iDus 416。 |
| 理由 | 1064nm 捕获光远离拉曼指纹区，不会激发出荧光背景；双阱可做对照实验，一个捕获一个测。 |
以上配置均可拆分采购。已有显微镜或光谱仪的客户，我们只补缺的那一段。
常见问题
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